1樓：匿名使用者
igbt的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在igbt的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則mosfet導通,這樣pnp電晶體的集電極與基極之間成低阻狀態而使得電晶體導通；若igbt的柵極和發射極之間電壓為0v，則mosfet截止，切斷pnp電晶體基極電流的供給，使得電晶體截止。
由此可知,igbt的安全可靠與否主要由以下因素決定：
——igbt柵極與發射極之間的電壓；
——igbt集電極與發射極之間的電壓；
——流過igbt集電極－發射極的電流；
——igbt的結溫。
如果igbt柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低，則igbt不能穩定正常地工作，如果過高超過柵極－發射極之間的耐壓則igbt可能永久性損壞；同樣，如果加在igbt集電極與發射極允許的電壓超過集電極－發射極之間的耐壓，流過igbt集電極－發射極的電流超過集電極－發射極允許的最大電流，igbt的結溫超過其結溫的允許值，igbt都可能會永久性損壞。
2樓：匿名使用者
由圖1看出igbt包含p+/n-/p/n+四層結構，可以認為igbt是由乙個mosfet和乙個pnp三極體組成，由柵極控制的mosfet來驅動pnp電晶體；也可以把它看成是由乙個vdmos和乙個pn二極體組成。。以圖1為例分析igbt的工作模式。在圖1所示的結構中，柵極g與發射極e短接且接正電壓、集電極接負壓時，器件處於反向截止狀態。
此時j1、j3結反偏、j2結正偏，j1、j3反偏結阻止電流的流通，反向電壓主要由j1承擔。當柵極g與發射極e短接，集電極c相對於柵極加正電壓時，j1、j3結正偏、j2結反偏，電流仍然不能導通，電壓主要由反偏結j2承擔，此時igbt處於正向截止。pt型igbt由於緩衝層的存在通過犧牲反向阻斷特性來獲得較好的正向阻斷特性，而npt型igbt則擁有較好的正反向阻斷特性。
當集電極c加正電壓，柵極g與發射極e施加電壓大於閾值電壓時，igbt的mos溝道開啟，器件進入正嚮導通狀態。
3樓：匿名使用者
igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣三雙極型功率管，是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件。應用於交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
結構相當於乙個由mosfet驅動的gtr，因而他綜合了gtr和mosfet的優點，即它既有mosfet輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、驅動電路簡單的驅動功率小等優點。也具有gtr通態壓降低、通流能力強的優點。
是乙個三端器件、具有柵極g、集電極c和發射極e，目前多為n溝道型。相當於乙個由mosfet驅動厚基區pnp電晶體。 為場控器件，其開通與關斷是有ge電壓決定的。
ge電壓大於開啟電壓時，mosefet內形成溝道，並未電晶體提供基極電流，進而使igbt導通。
4樓：匿名使用者
igbt絕緣柵雙極型電晶體， igbt 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給pnp 電晶體提供基極電流，使igbt 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使igbt 關斷。
5樓：匿名使用者
igbt 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給npn電晶體提供基極電流，使igbt 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使igbt 關斷。
6樓：
mos管和三極體的組合，前邊高阻後面大電流
7樓：沙漠和綠洲
igbt簡單說就是實現逆變功能，把直流電變成可控的交流電！
igbt是insulated gate bipolar transistor(絕緣柵雙極型電晶體)的縮寫，igbt是由mosfet和雙極型電晶體復合而成的一種器件，其輸入極為mosfet，輸出極為pnp電晶體，它融和了這兩種器件的優點，既具有mosfet器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介於mosfet與功率電晶體之間，可正常工作於幾十khz頻率範圍內，在較高頻率的大、中功率應用中佔據了主導地位。
8樓：匿名使用者
igbt模組其實就是個電子開關，特點是可以用低壓小電流控制高壓大電流，其vge開啟電壓可低至零點幾伏，但能控制的高壓可高達上千伏。工作原理簡述如下：當vge電壓達到/超過vge開啟電壓（引數裡是寫的vge（th））時，igbt開啟，這時候c極到e極導通（壓降在幾伏特，根據ic電流不同/溫度不同而有很大差異），ic（經過c極的電流）可以很大，十幾甚至幾十安培都有。
一般igbt都有個鉗位電壓，常見的有400v、600v、1000v，也還有更高的，需依實際需求來選擇。最簡單的理解，你可以當他是個npn的三極體，工作原理類似
igbt的工作原理？
9樓：匿名使用者
由圖1看出igbt包含p+/n-/p/n+四層結構，可以認為igbt是由乙個mosfet和乙個pnp三極體組成，由柵極控制的mosfet來驅動pnp電晶體；也可以把它看成是由乙個vdmos和乙個pn二極體組成。。以圖1為例分析igbt的工作模式。在圖1所示的結構中，柵極g與發射極e短接且接正電壓、集電極接負壓時，器件處於反向截止狀態。
此時j1、j3結反偏、j2結正偏，j1、j3反偏結阻止電流的流通，反向電壓主要由j1承擔。當柵極g與發射極e短接，集電極c相對於柵極加正電壓時，j1、j3結正偏、j2結反偏，電流仍然不能導通，電壓主要由反偏結j2承擔，此時igbt處於正向截止。pt型igbt由於緩衝層的存在通過犧牲反向阻斷特性來獲得較好的正向阻斷特性，而npt型igbt則擁有較好的正反向阻斷特性。
當集電極c加正電壓，柵極g與發射極e施加電壓大於閾值電壓時，igbt的mos溝道開啟，器件進入正嚮導通狀態。
10樓：匿名使用者
igbt(insulated gate bipolar transistor)，絕緣三雙極型功率管，是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件。應用於交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
結構相當於乙個由mosfet驅動的gtr，因而他綜合了gtr和mosfet的優點，即它既有mosfet輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、驅動電路簡單的驅動功率小等優點。也具有gtr通態壓降低、通流能力強的優點。
是乙個三端器件、具有柵極g、集電極c和發射極e，目前多為n溝道型。相當於乙個由mosfet驅動厚基區pnp電晶體。 為場控器件，其開通與關斷是有ge電壓決定的。
ge電壓大於開啟電壓時，mosefet內形成溝道，並未電晶體提供基極電流，進而使igbt導通。
igbt模組特點
igbt的使用綜合性能是非常優越的，決非其它功率器件所能替代的，因此成為當今逆變電路dc ac中主要器件，亦是理應所在的。它的弱點是過壓 過熱 抗衝擊 抗干擾等承受力較低，因此在使用時必須正確選擇器件的容量，要有完全嚴格的保護電路，按產品技術效能規定來正確選定各種引數值和保護值，是件非常重要的事，切...
igbt的傳輸特性是什麼，igbt模組特點？
igbt的靜態傳輸特性描述集電極電流ic與柵射電壓uge之間的相互關係，uge低於開啟電壓uge th 時，igbt處於關斷狀態 當uge大於開啟電壓uge th 時，igbt開始導通，ic與uge基本是線性關係。加於柵射之間的最佳工作電壓uge可取15 v左右。uge th 是igbt實現電導調製...
IGBT焊機和MOS管的區別，IGBT和MOS管的區別？
是你找到了我 1 定義 igbt焊機 逆變過程需要大功率電子開關器件，採用絕緣柵雙極電晶體igbt作為開關器件的的逆變焊機成為igbt逆變焊機。mos管是金屬 氧化物 半導體場效應電晶體，或者稱是金屬 絕緣體 半導體。igbt焊機 mos管 2 工作過程 mos管 管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸...