1樓:青川小舟
你的理解前大半都正確,飽和時,集電極電流達到了最大值,集電極電阻上的壓降vrc接近vcc。具體以npn矽管解釋,vcc=vrc+vce,這時的vce僅有0.3v左右,小於vbe,所以基極與集電極之間是正偏的。
只是0.3遠小於0.7 但遠還不到導通的壓差。
2樓:匿名使用者
應該按照書上給的式子更容易理解:ic=βib,ic會隨ib的增加而增加的,要注意的是:集電極與發射極電壓vce是等於電源電壓vcc減去集電極電阻上的電壓rc*ic得到的(vce=vcc-rc*ic),當rc*ic大到使得“vce小到基極和集電極之間電勢差為0或者基極與集電極之間正偏時“,視為飽和,這時集電極與發射極之間電壓vce已經非常小了(0.
3v)相當於短路了,即使再增加基極電流vce都無法再小,當然ic也就無法增加了,一般基極與發射極之間電壓vbe為0.7v,而vce可以到0.3v,所以基極與集電極之間會正偏的,而且電流也會由b流向c,這種情況應該避免。
3樓:光軍光
從理論上說,不管是npn還是pnp都是空穴導電的,而不是電子、、、
“npn三極體飽和”電流導通已到極點(不能再大了)
4樓:
好像你沒必要理解這麼深吧,如果不是學微電子的,可以深學,要是直接用,知道飽和,截止,放大區的物理意義及其區別,注意,不是所有的知識都要學,而是要術業有專攻。
5樓:匿名使用者
這樣理解比較合適,可以認為c集是一個電子流通道,通道上均勻的分佈電子,當飽和的時候,可以認為c集通道完全開啟了,放大狀態只有部分開啟,完全開啟後通道兩側電阻近似為0
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