1樓：
關於51微控制器記憶體問題，一直是個疑惑大家的問題，因為51微控制器是個很另類的微控制器。
下面我給樓主講解一下：
51微控制器之所以另類，是因為，他定址記憶體的空間，不是靠匯流排，是用指令的方式。
51微控制器有以下幾個記憶體模組組成：
1】rom或者flash，叫程式儲存區，你寫的程式是存在這裡面的，上電後從這裡面執行。
程式儲存區也分為片內和片外，一般來說，現在的51很多已經做到了64k，所以很少有外擴
片外flash或者片外的rom了，flash或者rom不管是片內還是片外的，只能用來定義常量，是用code來修飾，也就是說，用code來修飾的東西，在程式執行過程中，不能修改；
2】ram有------內部ram的低128位（00-7f)，對應c語言就是data,比如我定義一個變數，
data unsigned char var = 0;
那麼，這個 var變數就是放在內部的低128位ram中
-------內部ram的高128位（80-ff)，對應c語言就是idata,比如我定義一個變數，
idata unsigned char var = 0;
那麼，這個 var變數就是放在內部的高128位ram中
-------特殊功能暫存器（sfr）（80-ff)，對應c語言就是sfr比如我定義一個變數，
sfr unsigned char var = 0x90;
那麼，這個 var變數就是放在內部的特殊功能暫存器中,這是你對var操作，相當於操作一個特殊的暫存器，但是小心，不能隨便定義sfr變數，很危險
------外部ram 64k（0000-ffff）
外部的ram可以擴充套件到65536個，但是前256個算是一頁，這一頁比較特殊，是用
pdata來修飾的，當然，也可以用xdata來修飾。
除了第一頁的256個以外的其他65280個空間，只能用xdata來修飾；
回過頭來討論pdata和xdata，這兩個都能修飾外部ram的第一頁，但是，pdata只能修飾第一頁，即最前面的256個外部ram,那麼，這最前面的256個到底用pdata還是xdata好的呢？
答案是pdata，因為xdata修飾的變數，用的是dptr定址，pdata用的是r0和r1.dptr因為是16位的，所以可以覆蓋整個的64k外部ram，r0和r1是8位，所以只能定址最前面的256個，也就是外部ram的第一頁，但是，用r0定址，比dptr快一倍，**也小的很多
樓主又疑惑了，好多地址是重複的，比如，我向80h地址寫一個數值，微控制器怎麼知道讀的是內部的高128位ram？還是sfr？還是外部64k的ram呢？
答案是用指令，如果是直接定址，那麼訪問的就是sfr，如果是r0或者r1間接定址，就是內部高128位ram，如果是dptr或者是r0，r1間接定址，且配合的是movx指令，那麼就是訪問外部64kram中的第80h個地址。
概括一下來說，51的記憶體由以下組成：
1----程式儲存器（包括片內flash或rom,也包括片外flash或rom，c語言用code定義）
2----內部低128位ram,c語言用data定義
3---內部高128位ram,c語言用idata定義
4---內部sfr，c語言用sfr定義
5---外部65536個ram（通常，很多微控制器廠家不會給你擴充套件那麼多的，一般來說擴充套件256個位元組或者1024個位元組就差不多了，最近巨集晶的出了個擴充套件4096位元組的。這65536位元組的ram，前256個可以用pdata修飾，也可以用xdata修飾，超過256個之後的，只能用xdata修飾）
以上所說的只是針對51核心的微控制器，其他核心的，像arm之類的，不是這種結構的。
最後，回答樓主的問題：
片外儲存區是什麼？
這個問題太模糊，答案可以是外擴的flash，也可以說是外擴的ram，
如果問題是這麼問的：
程式或者常量儲存在片外儲存區，這個片外儲存區指的是什麼？
答案是外擴flash;
如果問題是---變數儲存在片外儲存區，這個片外儲存區指的是什麼？
答案是外擴ram；
一般來說，如果不指明的話，外記憶體儲區，行業內人士指的是外部的ram。
片記憶體儲器是什麼？是不是就是內部的e2prom？
片記憶體儲區一般來說，指的是內部的ram，包括高128位（idata）和低128位(data)
片記憶體儲器，這個說法我沒聽說過，可能是eeprom吧。
2樓：做而論道
樓主問的是什麼微控制器？
關於微控制器的定時器問題
以下程式以測試通過，晶振頻率12m,採用p1口灌電流驅動。還有問題再問我。org 0000h ajmp main org 000bh ajmp time0 main mov tmod,01h mov ie,82h mov tl0,0afh mov th0,3ch mov r3,14h mov r2,...
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