pn結上加反向電壓時,若pn結兩端連著導線形成通路，為什麼pn結中的載流子不會在電場力的作用下形成迴路

1樓：

反向電壓與pn結內建電場方向一致，導致pn結變厚，同時內建電場也增強，使得多數載流子的擴散運動很難進行。因為外電場方向是阻礙多數載流子向對方擴散的。

pn結上加反向電壓時,若pn結兩端連著導線形成通路，為什麼pn結中的載流子不會在電場力的作用下形成迴路？

你這個說法都有問題，加反向電壓不用導線連線電源能加到pn結上面嗎。

如果接了反向電源，同時再用導線短接p區和n區那外部電源就直接短路了。

2樓：匿名使用者

反壓使pn結空間電荷區內產生分別針對電子和空穴的勢壘，阻止電子和空穴的正向漂移運動。但實際上仍有很小的反向漏電流。

擊穿後集電區形成雪崩效應，大量載流子獲得足夠能量反向漂移穿透勢壘，形成反向電流。

加反向電壓時，（沒擊穿的時候），反向載流子是如何越過pn結的呢？？

3樓：路西法

耗盡層就是在pn結附近，其中的載流子因擴散而耗盡，只留下不能移動的正負離版子的區域權，又稱空間電荷區。在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的。

n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而復合，載流子消失。

因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分布在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區。p 型半導體一邊的空間電荷是負離子，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。

當pn結外加反向電壓時，內外電場的方向相同，在外電場的作用下,載流子背離pn結運動，結果使空間電荷區變寬,,耗盡層會（變寬）變大。pn結外加正向電壓時，擴散電流大於漂移電流，耗盡層將變窄。