1樓:匿名使用者
你好,我是做元件的,如果按照一條生產線25人,平均每天工作8小時,生產240w的多晶太陽能元件來計算,一年的產能可以做到16兆瓦左右
2樓:匿名使用者
一天可以轉化:8.4*10^4 j/m^2*min*60min/hr*3hr/day*50m^2*10%=7.56*10^7j/day
一天可以節省7.56*10^7/2.7*10^7=2.8kg/day
一年可以節省365*2。8kg=1022kg優質煤的完全燃燒。
3樓:層壓機社群
秦皇島長鑫光電科技****,位於秦皇島,是專業提供太陽能元件裝置與技術服務的公司,為您提供太陽能元件生產線的整廠規劃,包括計算人力(需要多少人!)物(需要多少裝置和材料)時(需要多少時間!)
4樓:匿名使用者
秦皇島長鑫光電科技****提供各種型號太陽能元件層壓機,多層層壓機,同時提供太陽能元件生產線成套裝置,幫助元件企業提供5mw,10mw,25mw,50wm,100mw,200mw,300mw 500mw,1000mw元件生產線交鑰匙
中國第一塊太陽能電池板什麼時候
非晶矽與單晶矽和多晶矽的太陽能電池板區別?各自的優越性等
5樓:咕咚萌西
1、外觀區別
單晶矽電池的四個角呈現圓弧狀,表面沒有花紋;
多晶矽電池的四個角呈現方角,表面有類似冰花一樣的花紋;
非晶矽電池也就是我們平時說的薄膜元件,它不像晶矽電池可以看出來柵線,表面就如同鏡子一般清晰、光滑;
2、使用上面的區別
對於使用者來說,單晶矽電池和多晶矽電池沒有太大的區別,它們的壽命和穩定性都很好。
雖然單晶矽電池平均轉換效率要比多晶矽高1%左右,但由於單晶矽電池只能做成準正方形(四邊都是圓弧狀),因此當組成太陽能電池板的時候就會有一部分面積填不滿;而多晶矽是正方形,所以不存在這樣的一個問題,它們的優缺點具體如下:
晶矽元件:單塊元件功率相對較高。同樣佔地面積下,裝機容量要比薄膜元件高。但元件厚重易碎,高溫效能較差,弱光性差,年度衰減率高。
薄膜元件:單塊元件功率相對略低。但發電效能高,高溫效能佳,弱光效能好,陰影遮擋功率損失較小,年度衰減率低。應用環境廣泛,美觀,環保。
3、製造工藝區別
多晶矽太陽能電池製造過程中消耗的能量要比單晶矽太陽能電池少30%左右;
因此多晶矽太陽能電池佔全球太陽能電池總產量的份額大,製造成本也小於單晶矽電池,所以使用多晶矽太陽能電池將會更加的節能、環保;
非晶矽太陽電池的方法有很多種,包括等離子增強型化學氣相沉積,反應濺射法、輝光放電法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。
6樓:南霸天
單晶矽太陽電池
單晶矽太陽電池是當前開發得最快的一種太陽電池,它的構成和生產工藝已定型,產品已廣泛用於宇宙空間和地面設施。這種太陽電池以高純的單晶矽棒為原料,純度要求99.9999%。
為了降低生產成本,現在地面應用的太陽電池等採用太陽能級的單晶矽棒,材料效能指標有所放寬。有的也可使用半導體器件加工的頭尾料和廢次單晶矽材料,經過復拉制成太陽電池專用的單晶矽棒。將單晶矽棒切成片,一般片厚約0.
3毫米。矽片經過成形、拋磨、清洗等工序,製成待加工的原料矽片。
加工太陽電池片,首先要在矽片上摻雜和擴散,一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進行。這樣就在矽片上形成p/n結。
然後採用絲網印刷法,將配好的銀漿印在矽片上做成柵線,經過燒結,同時製成背電極,並在有柵線的面塗覆減反射源,以防大量的光子被光滑的矽片表面反射掉,至此,單晶矽太陽電池的單體片就製成了。
單體片經過抽查檢驗,即可按所需要的規格組裝成太陽電池元件(太陽電池板),用串聯和並聯的方法構成一定的輸出電壓和電流,最後用框架和封裝材料進行封裝。使用者根據系統設計,可將太陽電池元件組成各種大小不同的太陽電池方陣,亦稱太陽電池陣列。目前市場上的單晶矽太陽電池的光電轉換平均效率為19%左右,個別公司最近推出的新產品普遍都超出這個值。
實驗室成果普遍在20%以上。用於宇宙空間站的還有高達50%以上的太陽能電池板。
多晶矽太陽電池
單晶矽太陽電池的生產需要消耗大量的高純矽材料,而製造這些材料工藝複雜,電耗很大,在太陽電池生產總成本中己超二分之一,加之拉制的單晶矽棒呈圓柱狀,切片製作太陽電池也是圓片,組成太陽能元件平面利用率低。因此,80年代以來,歐美一些國家投入了多晶矽太陽電池的研製。 目前太陽電池使用的多晶矽材料,多半是含有大量單晶顆粒的集合體,或用廢次單晶矽料和冶金級矽材料熔化澆鑄而成。
其工藝過程是選擇電阻率為100~300歐姆釐米的多晶塊料或單晶矽頭尾料,經破碎,用1:5的氫氟酸和硝酸混合液進行適當的腐蝕,然後用去離子水沖洗呈中性,並烘乾。用石英坩堝裝好多晶矽料,加人適量硼矽,放人澆鑄爐,在真空狀態中加熱熔化。
熔化後應保溫約20分鐘,然後注入石墨鑄模中,待慢慢凝固冷卻後,即得多晶矽錠。這種矽錠可鑄成立方體,以便切片加工成方形太陽電池片,可提高材質利用率和方便組裝。
多晶矽太陽電池的製作工藝與單晶矽太陽電池差不多,其光電轉換效率約12%左右,稍低於單晶矽太陽電池,但是材料製造簡便,節約電耗,總的生產成本較低,因此得到大量發展。隨著技術得提高,目前多晶矽的轉換效率也可以達到18%左右。
非晶矽太陽電池
非晶矽太陽電池是2023年有出現的新型薄膜式太陽電池,它與單晶矽和多晶矽太陽電池的製作方法完全不同,矽材料消耗很少,電耗更低,非常吸引人。製造非晶矽太陽電池的方法有多種,最常見的是輝光放電法,還有反應濺射法、化學氣相沉積法、電子束蒸發法和熱分解矽烷法等。輝光放電法是將一石英容器抽成真空,充入氫氣或氬氣稀釋的矽烷,用射頻電源加熱,使矽烷電離,形成等離子體。
非晶矽膜就沉積在被加熱的襯底上。若矽烷中摻人適量的氫化磷或氫化硼,即可得到n型或p型的非晶矽膜。襯底材料一般用玻璃或不鏽鋼板。
這種製備非晶矽薄膜的工藝,主要取決於嚴格控制氣壓、流速和射頻功率,對襯底的溫度也很重要。
非晶矽太陽電池的結構有各種不同,其中有一種較好的結構叫pin電池,它是在襯底上先沉積一層摻磷的n型非晶矽,再沉積一層未摻雜的i層,然後再沉積一層摻硼的p型非晶矽,最後用電子束蒸發一層減反射膜,並蒸鍍銀電極。此種製作工藝,可以採用一連串沉積室,在生產中構成連續程式,以實現大批量生產。同時,非晶矽太陽電池很薄,可以製成疊層式,或採用積體電路的方法制造,在一個平面上,用適當的掩模工藝,一次製作多個串聯電池,以獲得較高的電壓。
因為普通晶體矽太陽電池單個只有0.5伏左右的電壓,現在日本生產的非晶矽串聯太陽電池可達2.4伏。
7樓:匿名使用者
先談區別:
結構上,單晶矽最完美,多晶矽次之,非晶矽缺陷最多;
效能上,單晶矽缺陷少,有利於光生少子收集,因此,光電轉換效率最高;多晶矽,由於晶界的出現,光生少子容易在晶界出被“幹掉”,也就是消失了,所以光電轉換效率次之;非晶矽由於有很多搖擺鍵、破鍵,光生少子更容易消失,但是,經過鈍化工藝(加氫飽和破鍵)處理,其帶隙可由1.1電子伏特升至1.7電子伏特,光電轉換效率也可以接近10%,從這點看,好像非晶矽的前景不錯;但是,據傳說,尚德非晶矽一條線不知何故,投產後又下馬了,可見,這個結論應該站不住腳。
成本上,單晶矽最昂貴,因為生產工序最複雜耗時;多晶矽次之;非晶矽最便宜。
各自的優越性,應該可以從上面得出了吧!
8樓:匿名使用者
半導體材料的結構不一樣,效率排列是:單晶》多晶》非晶,單晶效率最高,但成本也最高,多晶居中,非晶最節約材料,弱光響應好,可做成柔性的,但轉換效率最低,目前估計10%左右。
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我小時用300度電,24小時接近7000度,多少太陽能板一小時能發出300度左右電,造價多少 回答這個問題需要你詳細的闡述,比如說你的充電電流多大?你的太陽能板陰天的時候發電量有多大或者說發電量低於多少的時候就不再使用等等。你很重視電壓問題,但是實際上陰天太陽能板不僅僅是發電的電壓降低了,更重要的是...
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