1樓：nice青天白日
用數字萬用表測量mos管好壞及引腳的方法：以n溝道mos場效電晶體為例。
一、先確定mos管的引腳：
1、先對mos管放電，將三個腳短路即可；
1、首先找出場效電晶體的d極（漏極）。對於to-252、to-220這類封裝的帶有散熱片的場效電晶體，它們的散熱片在內部是與管子的d極相連的，故我們可用數字萬用表的二極體檔測量管子的各個引腳，哪個引腳與散熱片相連，哪個引腳就是d極。
2、找到d極後，將萬用表調至二極體檔；
3、用黑錶筆接觸管子的d極，用紅錶筆分別接觸管子的另外兩個引腳。若接觸到某個引腳時，萬用表顯示的讀數為乙個矽二極體的正向壓降，那麼該引腳即為s極（源極），剩下的那個引腳即為g極（柵極）。
二、mos管好壞的測量：
1、當把紅錶筆放在s極上，黑錶筆放在d極上，可以測出來這個導通壓降，一般在0.5 v左右為正常；
2、g腳測量，需要先對g極充下電，把紅錶筆放在g極，黑錶筆放在s極；
3、再次把紅錶筆放在s極上，黑錶筆放在d極上，可以測出來這個放大壓降，一般在0.3 v左右為正常；
擴充套件資料
mos管的主要引數
1、開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2、 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3.、漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
id劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；
（2）漏源極間的穿通擊穿；
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id。
4、柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5、低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導；
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的乙個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6、導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
·對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7、極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～3pf，cds約在0.1～1pf之間
8、低頻雜訊係數nf
雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使乙個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
雜訊效能的大小通常用雜訊係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小
低頻雜訊係數是在低頻範圍內測出的雜訊係數
場效電晶體的雜訊係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
2樓：技能兩分鐘
mos管導通前後有什麼區別？怎麼用萬用表檢測mos管的好壞？和三極體方法一樣嗎？
3樓：匿名使用者
檢測mos管之前先將mos管三個引腳短接放電防止測量誤差，然後將數字萬用表打到二極體檔位，紅錶筆插入vω孔黑錶筆插入com孔，將紅錶筆接d級，黑錶筆接g級正常應該為「1」然後調換錶筆，將紅錶筆接d級黑錶筆接s級值應該也是「1」然後將黑錶筆接d級紅錶筆接g級應該有一組數值為300-700歐的數值。如果有的話mos管就是好的，如果測量幾組的數值都是「1」則管子開路，如果測量中有一組數值為「000」則管子短路，檢測前必須放電，如果不放電的話，測量mos管ds級是導通的，你會誤認為是短路擊穿，所以必須要先放電然後再去檢測。
放電方法，短路 dgs三個引腳。
4樓：冷白容
結型場效電晶體（jfet）可用作恆流源（只連線d-s腳，g極懸空或與d、s任一腳短接， 此時它的最大電流是恆定的，根據型號不同而不同？？）；根據其輸入阻抗遠高於三極體（bjt）的特點，可用於將微小的訊號放大，例如話筒，等。
jfet的測量，根據其d-s極在常態下呈導通狀態的特點，用數字表二極體檔測到某管的兩個腳正、反向二極值相同，即懷疑是jfet，所接的兩腳是d、s極；然後紅筆接g極，黑筆分別接d、s極，若導通即判斷為n溝道jfet；黑筆接g極，紅筆分別接d、s極，若導通即為p溝道jfet。
對於mosfet，常用的是n或p溝道增強型， 耗盡型mos管很少用？？
nmos常用作開關電源功率開關管，線性調壓管，等；pmos可用於電子開關，例如控制散熱風扇。（nmos似乎比pmos更常用，因為nmos管的導通耗散功率較小？？）
to-220封裝的nmos或pmos的中間腳是d極，左邊是g極,右邊是s極。mos管通常在d-s極之間內建乙個保護二極體。如果測到s-d的二極值為500左右，即為nmos。
判斷mos管的好壞，根據只要給g極內部的電容充電，d-s極之間即雙嚮導通的特點來判斷。首先將mos管的三個腳短接進行放電，用數字表二極體檔，紅筆接s極，黑筆接d極，顯示數值為500左右，判斷這個管為nmos。然後，黑筆不動，紅筆移至g極，給g極內部的電容充正向電壓，然後紅筆轉回來接s極，此時d-s極應雙嚮導通（隨著g極內部電容的放電，d-s極間的阻值會逐漸變大）。
然後又短接管子的三個腳，調換錶筆，紅筆接d極，黑筆接s極，顯示數值為無窮大；然後紅筆接g極，黑筆接s極，給g極內部的電容充正向電壓，然後可測得d-s之間雙嚮導通。
補充：一般nmos的開啟電壓在2-4v之間，但是注意這個電壓僅僅是導電溝道開始形成時的電壓，如果要形成比較完整的溝道（即完全導通），電壓往往要上公升到10v左右才好。所以測量mos管的好壞，數字萬用表的二極體檔供電壓應為3v，或用機械萬用表的r*10k檔。
數字萬用表如何測頻率，怎麼用數字萬用表測頻率
我的行雲筆記 將量程轉換開關轉換到hz2k 20k位置，視測試的頻率高低來選擇量程。注意 一般儀表的頻率測量功能只適用於測試低壓頻率 如音訊訊號 測試輸入靈敏度均在mv級電壓 如果被測頻率訊號電壓過高，除測試結果不準確以外，還會導致儀表保護電路損壞，說明書中一般均會提示 最大輸入靈敏度 30vrms...
數字萬用表模擬萬用表區別，數字萬用表和模擬萬用表的異同
趙文星空絮雨 沒有模擬萬用表，有指標萬用表，也叫機械錶。區別如下 內部供電不同，數字只需要9v疊層電池，而指標還需要1.5v的2號電池 數字與指標測量的檔位不同 數字測量精度比指標的精度要高，且測量直流電壓不要要分正負極和讀書直觀 數字與指標在檔位上增加了許多功能 由於表內部所接的電池極性有區別 數...
萬用表怎麼測燈泡好壞，怎麼用萬用表測電燈泡的好壞
普通led的燈珠好壞，可以通過數字式萬用表直接測量出來。具體方法就是將萬用表選擇到二極體檔，沒有這一檔的可以選擇 200 這一檔，用錶筆直接在二極體的兩極接觸，如果能看到二極體發出微弱的亮光，證明二極體就一定是好的，如果不能看到發光，證明二極體有可能是不正常，或者是紅外發光管。成品的燈泡，除去檢測l...