1樓：
晶體生成的一般過程是先生成晶核，而後再逐漸長大。一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三個階段：①介質達到過飽和、過冷卻階段；②成核階段；②生長階段。
在某種介質體系中，過飽和、過冷卻狀態的出現，並不意味著整個體系的同時結晶。體系內各處首先出現瞬時的微細結晶粒子。這時由於溫度或濃度的區域性變化，外部撞擊，或一些雜質粒子的影響，都會導致體系中出現區域性過飽和度、過冷卻度較高的區域，使結晶粒子的大小達到臨界值以上。
這種形成結晶微粒子的作用稱之為成核作用。
介質體系內的質點同時進入不穩定狀態形成新相，稱為均勻成核作用。
在體系內的某些區域性小區首先形成新相的核，稱為不均勻成核作用。
均勻成核是指在一個體系內，各處的成核幾宰相等，這要克服相當大的表面能位壘，即需要相當大的過冷卻度才能成核。
非均勻成核過程是由於體系中已經存在某種不均勻性，例如懸浮的雜質微粒，容器壁上凹凸不平等，它們都有效地降低了表面能成核時的位壘，優先在這些具有不均勻性的地點形成晶核。因之在過冷卻度很小時亦能區域性地成核。
在單位時間內，單位體積中所形成的核的數目稱成核速度。它決定於物質的過飽和度或過冷卻度。過飽和度和過冷卻度越高，成核速度越大。
成核速度還與介質的粘度有關，輪度大會阻礙物質的擴散，降低成核速度. 晶核形成後，將進一步成長。
2樓：匿名使用者
這是一個實驗把。。。
就是開始放到飽和溶液裡的原始晶體隨著飽和溶液中水的蒸發，飽和溶液處於過飽和狀態，晶體不斷地析出，而且晶體是在晶核上析出，以致晶體越來越大，就叫晶體開始長大。。。是這樣的吧...
晶粒長大的具體定義是什麼？
3樓：匿名使用者
這是一個材料熱處bai理問題嗎？du
晶粒長大
zhi的驅動力是晶界dao能的下降,即長大前後的介面專能差值。屬 定義：指晶體中有許多晶粒獲得長大條件，晶粒的長大是連續地，均勻地進行，晶粒長大過程中晶粒的尺寸是比較均勻的，晶粒平均尺寸的增大也是連續的。
2.晶粒長大的方式（1）彎曲的晶界總是趨向於平直化，即向曲率中心移動以減少介面積，同時，大角度晶界的遷移率總是大於小角 度晶界的遷移率。度晶界的遷移率。
當晶界為三維空間的任意曲面時，作用在單位介面上的力p為：p：晶界遷移的驅動力 ：
晶界單位面積 的介面能 r1、r2：曲面的兩個主曲率半徑如果空間曲面為球面時，r1=r2 ， 即：晶界遷移的驅動力與其曲率半徑r成反比，與介面能成正比。
（2）晶界總是向角度較銳的晶粒方向移動， 力圖使三個夾角都等於120度
什麼是晶體生長方向？
4樓：匿名使用者
你說的是晶向指數,晶向指數的確定步驟如下:
(1)以晶胞的三個稜邊為座標軸x\y\z,以稜邊為長度作為座標軸的長度單位;
(2)從座標軸原點引一有向直線平等於待定晶向;
(3)在所引有向直線 上任取一點,求出該點在x\y\z軸上的座標值;
(4)將三個座標值按比例化為最小簡單整數,依次寫入方括號[ ]中,即得所求的晶向指數.
5樓：匿名使用者
晶體在不同方向上的原子排列情況不同,它們之間的作用力有差異,晶體在長大過程中,沿不同晶向接受原子的能力是不同的,也就是說可以在某些晶向優先長大,這就是為什麼金屬晶體一般以樹枝狀方式長大的原因.這些優先長大的方向可以分為一次晶軸\二次晶軸等,具體晶向與晶格型別有關係.比如面心立方的晶軸位向是<100>;體心正方是<100>;體心立方是<110>.
為什麼晶體會生長??
晶體如何具體生長
6樓：小雪
你說的是晶向指數,晶向指數的確定步驟如下:
(1)以晶胞的三個稜邊為座標軸x\y\z,以稜邊為長度作為座標軸的長度單位;
(2)從座標軸原點引一有向直線平等於待定晶向;
(3)在所引有向直線 上任取一點,求出該點在x\y\z軸上的座標值;
(4)將三個座標值按比例化為最小簡單整數,依次寫入方括號[ ]中,即得所求的晶向指數.
晶體的生長方式有哪幾種？ 5
7樓：匿名使用者
晶體生長方式和速率與介面結構是密切相關的，按介面結構不同可將晶體生長方式分為
1、完整光滑面的生長（二維晶核生長）
2、非完整光滑面的生長--（1）借螺位錯長大、（2）孿晶生長的機制3、粗糙介面的生長
8樓：詩景郜元白
你好！立方
正交單斜
三斜如有疑問，請追問。
9樓：引路人
立方 正交 單斜 三斜
晶體是生長出來的嗎，什麼是晶體生長方向？
你說的是晶向指數,晶向指數的確定步驟如下 1 以晶胞的三個稜邊為座標軸x y z,以稜邊為長度作為座標軸的長度單位 2 從座標軸原點引一有向直線平等於待定晶向 3 在所引有向直線 上任取一點,求出該點在x y z軸上的座標值 4 將三個座標值按比例化為最小簡單整數,依次寫入方括號 中,即得所求的晶向...