1樓：你是蠢豬啊
閘流體屬於電流型器件，而場效電晶體igbt才是電壓型器件。閘流體一般是指可控矽。
可控矽分單向可控矽和雙向可控矽兩種。
閘流體按電流容量可分為大功率閘流體、中功率閘流體和小功率閘流體三種。通常，大功率閘流體多採用金屬殼封裝，而中、小功率閘流體則多採用塑封或陶瓷封裝。
普通閘流體是一種半可控大功率半導體器件，出現於70年代。普通閘流體它有三個極：陽極，陰極和門極。
閘流體具有矽整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現使半導體器件由弱電領域擴充套件到強電領域。
工作原理：
普通閘流體t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與電源和負載連線，組成普通閘流體的主電路，普通閘流體的門極g和陰極k與控制普通閘流體的裝置連線，組成普通閘流體的控制電路。
2樓：愛迪貓
閘流體是電流控制的器件，控制級必須達到一定的電流，器件才導通，
場效電晶體是電壓控制型器件，需要一定的電壓，器件才導通
電晶體也是電流型器件。
3樓：匿名使用者
閘流體是電流型器件，場效電晶體igbt才是電壓型器件。區分原則是：1.控制極有電流才能工作的器件為電流型器件。2.控制極沒有電流只有電壓就能工作的器件為電壓型器件。
可控矽、mosfet、igbt、gto是電壓觸發還是電流觸發，它們在作用上有什麼區別與聯絡
4樓：杰哥的
可控矽、gto是電流觸發，其中可控矽觸發導通後要等到電流過0時才關斷；gto稱之為可關斷可控矽，可以在有電流時關斷。
mosfet和igbt是電壓控制器件，類似於場效電晶體，可通過柵極電壓控制其導通和關斷，開關速度高於gto，由於mosfet的耐壓水平不能再繼續提高，後推出場效電晶體與雙極型管結合的器件igbt。
它們共同的作用就是可以用較小的電流（或電壓）去控制較大的電流，同時都具有單向導電性，均可作為整流和逆變元件使用，。
但相比之下，可控矽的應用範圍相對狹窄，但因為這些器件中，可控矽是最廉價的，工藝成熟，可做成高壓、大電流，所以在整流、大功率的同步逆變、調功等裝置中還是有較大優勢。
igbt與gto、mosfet器件相比在開關速度、耐壓、驅動功率上有更優異的特性，所以被廣泛應用在變頻器、有源濾波和補償、逆變等領域。
擴充套件資料
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由乙個pnp管和乙個npn管所組成，其等效**如右圖所示。雙向可控矽：雙向可控矽是一種矽可控整流器件，也稱作雙向閘流體。
這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如ibm使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程。
而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵，因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造mosfet元件。
電晶體與閘流體的區別是什麼？
5樓：青島豐東熱處理****
1、電晶體（transistor）是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、訊號調製和許多其它功能。電晶體作為一種可變開關，基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此電晶體可做為電流的開關，和一般機械開關（如relay、switch）不同處在於電晶體是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100ghz以上。
2、閘流體（thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控矽整流器，以前被簡稱為可控矽；閘流體是pnpn四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；閘流體工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：
快速閘流體，雙向閘流體，逆導閘流體，光控閘流體等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為「v」、「vt」表示（舊標準中用字母「scr」表示）。
6樓：音響帝國**
電晶體有三個區，1、截止區，2、包和區，3、放大區，利用截止區和包和區可以做開關，利用放大區可以做模擬放大。閘流體只能做開關。電晶體做開關需要連續驅動，閘流體做開關一觸卻通。
7樓：崑崙山之客
電晶體是總稱，閘流體是電晶體的一種。
晶體**管與閘流體的區別？
8樓：匿名使用者
1、晶體**管有兩型別，npn的和pnp的，可以用來放大電訊號，可以用來做電子開關;閘流體呢也可以用來做電子開關，但不能用來放大訊號，它用來做開關比電晶體好，因為它的導通電阻比電晶體的低，能通大電流。
2、另外閘流體和晶體**管的另外乙個不同點是閘流體一旦被觸發導通後，它的柵極對它就沒有控制作用了，而晶體**管的基極，只要它還沒進入飽和，就對它有控制作用。
晶體**管（transistor）：
是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、訊號調製和許多其它功能。晶體**管作為一種可變開關，基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此電晶體可做為電流的開關，和一般機械開關（如relay、switch）不同處在於晶體**管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100ghz以上。
閘流體（thyristor）：
是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控矽整流器，以前被簡稱為可控矽；閘流體是pnpn四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；閘流體工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：
快速閘流體，雙向閘流體，逆導閘流體，光控閘流體等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字元號為「v」、「vt」表示（舊標準中用字母「scr」表示）。
9樓：匿名使用者
晶體**管具有放大作用，閘流體就是可控矽 ，開關作用，並沒有放大作用，它只有2種情況，要麼導通，要麼截止。
10樓：大鵬和小鳥
電晶體去掉基極訊號就會停止輸出，閘流體是依靠線路外部環境停止輸出。或者說電晶體適用於直流電，閘流體適用於交流電。當然還有一種可以通過關斷訊號實現關斷的可控矽。
想細緻了解需要認真看書學習，才能正確掌握使用方法。
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