1樓：頤和園的松鼠
上面的說的不完整，補充如下：
對於本徵半導體，本徵激發起決定性因素，所以t升高，電阻下降；
對於雜質半導體，在溫度很低時，本徵電離可忽略，t升高，雜質電離的載流子越來越多，電阻下降
進入室溫區，雜質已經全部電離，而本徵激發還不重要，t升高，晶格震動散射加劇，電阻升高。
高溫區，本徵激發起主要作用，t升高，本徵激發明顯，電阻下降。
總的趨勢是先降再升最後降
zxz026說的對，現在不搞材料，大學裡好多東西都忘了。
以半導體熱敏電阻為例，負溫度係數的熱敏電阻原理基本上就是上面說的。
還有一種正溫度係數的熱敏電阻，主要是鈦酸鋇陶瓷，120度（居里溫度）之後，電阻隨溫度升高急劇升高，機理比較複雜，你可以看看半導體陶瓷材料方面的書。
2樓：
前半部分上面的解釋的差不多了
後面的原因是這樣的半導體的導電性是有本徵激發決定的，也就是激發出的電子和空穴對的數量，而本徵激發和溫度有很大關係。溫度越高，本徵激發產生的電子空穴對越多，導電能力自然就強。
要說明的是金屬和半導體導電的原因很不一樣。金屬導電是靠自由電子，而半導體導電是靠電子和空穴。
3樓：起雪
這是材料金屬內部分子或原子結構決定的
金屬的電阻率是隨溫度變化而變化的
可惜我不太專業,只能幫你這些了
不過這不是物理研究的,得化學強悍的人才搞的懂
4樓：
簡單的說就是：
金屬導電是因為有自由電子，溫度高的話，自由電子的無規則運動就會加快，要使它定向運動就越困難。
半導體之所以具有介於導體和絕緣體之間的導電性，是因為它的原子結構比較特殊，即其外層電子既不象導體那樣容易掙脫其原子核的束縛，也不象絕緣體中的電子被原子核緊緊地束縛著。這就決定了它的導電性介於兩者之間。溫度越高， 外層電子越容易掙脫其原子核的束縛，成為自由電子，進而導電性也越高。
5樓：晨光甘露
誰告訴你"半導體的電阻隨溫度升高反而變小",先罵他誤人子弟,樓上說的對,大多數情況,雜質半導體電阻隨溫度升高先降再升再降,原因沒問題.不過半導體種類繁多,其電阻的影響因素也很多,情況十分複雜,有反常的也不奇怪,有些現象至今還沒有合理解釋.
如果你已經上了大學,可以看固體物理,材料學,半導體物理的書籍;如果沒有,估計樓上和樓上的樓上兩位大牛什麼本徵激發空穴之類的東西徹底白說了,直接信2樓說的就可以了,直觀易懂,用的經典圖象,也沒大毛病.
半導體的電阻為什麼隨溫度升高而降低
6樓：清溪看世界
因為在一定溫度下，半導體的電子空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。
半導體的五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電效能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
擴充套件資料
摻雜對半導體結構的影響：
1、摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質半導體的能隙之間會出現不同的能階。施主原子會在靠近傳導帶的地方產生一個新的能階，而受主原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。
2、摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施主與受主。施主原子帶來的價電子大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。
3、摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。
7樓：
這是熱敏電阻，是隨溫度的升高而降低，是特殊材料做的；一般的電阻都是隨溫度的升高而增大的。
8樓：
半導體具有負電阻溫度係數，其電阻值是隨溫度的升高而減小，隨溫度的降低而增大。雖然溫度升高粒子的無規則運動加劇，引起自由電子（或者空穴）遷移率略為下降，然而自由電子（或空穴）的數目隨溫度的升高而增加得更快，所以溫度升高其電阻值下降。
金屬的電阻率隨溫度升高而增大,半導體的電阻率為什麼隨溫度升高而減小？
9樓：匿名使用者
半導體是靠載流子(空穴或電子)導電的，溫度升高，載流子增多，導電性增強；金屬晶體裡邊，溫度升高原子核振動加劇，碰撞電子使之減速的概率增加，電阻率上升
為何純金屬的電阻率會隨溫度升高而增大？而半導體的電阻率卻隨溫度升高而降低？
10樓：匿名使用者
而半導體是靠少數殘載流子導電，少數載流子本身就是靠熱激發才產生的，溫度越高載流子越多，因此電阻變小
11樓：匿名使用者
這個很複雜
視乎要用量子力學才解釋得清楚
12樓：一弘秋水
溫度升高，金屬內部電子能量增加，其熱運動速度加快，增加了電子碰撞的機會，而金屬是靠電子導電，故其定向移動速度就會減慢，所以其電阻就會增大?¤
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