1樓：君子陶陶
半導體通常是指導電率介於導體與絕緣體之間的材料。電導率的範圍是：10＾（－8）→10³ （西門子／厘公尺）。
電導率低於10＾（－8）西門子／厘公尺）的材料稱為絕緣體。電導率高於10³（西門子／厘公尺）的材料稱為導體。所有的導體都有大量的自由電子。
電阻是指導體內阻礙電流流動的能力，電阻率越大，阻礙電流的能力就越強．電導率的倒數就是電阻率。
2樓：網友
半導體的電阻率約在範圍內。
3樓：毓秋梵玉
絕緣體和導體是沒有絕對界限的。因為絕緣體只是電阻率極大。
絕緣體一般是電阻上幾十萬歐姆。
導體一般不到歐姆。
橫截面1mm^2,長度1m.
4樓：網友
看你做什麼用的，ic級的一般在歐姆。
太陽能級的一般在歐姆。
5樓：
電阻率介於金屬和絕緣體之間並有負的電阻溫度係數的物質。
半導體室溫時電阻率約在10e-5～10e7歐·公尺之間，溫度公升高時電阻率指數則減小。
半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。
鍺和矽是最常用的元素半導體；化合物半導體包括ⅲ-ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
半導體的導電效能比導體好嗎
6樓：一口吃掉九個月亮
半導體的導電效能比導體要弱，詳細介紹如下：
1、半導體的導電能力與導體並不相同，兩者對比的話，半導體導電能力比導體導電能力弱，不過比絕緣體或畢導電效能強。在能帶結構模型中，金屬的電導率由費公尺能級附近電子的遷移率決定。半導體的電導率由價帶頂部附近的空穴和導帶底部的電子的共同遷移率決定。
2、電子和空穴的有效質量不相等，同一能帶的電子和空穴的有效質量相等；我的意思是導帶電子的有效質量不等於價帶空穴的有效質量，所以兩者的電導率要分開討論。半導體的導電性比導體弱，半導體只在熔融狀態下導電。
3、當機械溫度為零時，理論上價帶中的電子佔據所有位置。在外部電場的作用下，不會發生位置偏移，也不會產生電流。在禁帶中，沒有電子，也不會產生電流。
理論上，電流產生取決於導帶。半導體的導帶中沒有電子。當價帶中的電子吸收能量時，就會躍遷到導帶。
價帶中也會有空穴。在外部電場的情況下，它們將轉變為導帶中的電子和價帶中的電子。
4、導體中的價帶電子不是全能帶，它們在外場的作用下直接產生衫侍芹電流。以上是乙個簡單的概念。半導體中的電子空穴傳導和導電金屬中的電子傳導的根本區別，不考慮缺陷等的影響。
對於理想的材料，電導率取決於電導率涉及的數量和遷移率。所以很容易觀察半導體談答和金屬的導電性。
5、參與傳導的載流子數量包括電子和空穴。一般來說，金屬的載流子遠遠多於半導體，尤其是這個證書的導體。金屬是電子導電的，具有低質量和高遷移率，而半導體具有低空穴遷移率。
半導體的導電型別有哪些?
7樓：點點聊生活
一、n型半導體。
n型半導體也稱為電子型半導體。
即自由電子。
濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
形成原理。摻雜和缺陷均可造成導帶。
中電子濃度的增高。 對於鍺、矽類半導體材料。
摻雜ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時，可提供除滿足共價鍵。
配位以外的乙個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主。 ⅲ族化合物半導體的施主往往採用ⅳ或ⅵ族元素。 某些氧化物半導體，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性。
即是n型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度。
二、p型半導體。
p型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
形成。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成p型半導體。在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於p型半導體中正電荷量。
與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
半導體電導率計算公式
8樓：兮兮學姐
如果σ是電導（單位西門子），i是電流（單位安培），e是電壓（單位伏特），則：σ i/e
電導是電阻的倒數，即 g＝l/r 式中r—電阻，尺純嫌單位歐姆。
g—電導，單位西門子(s) 1s＝103ms＝106µs 因r＝ρl/f，代入上式，則得到： g＝if/（ρl）對於一對固定電極來講，二極間的距離不變，電極面積也不變，因此l與f為乙個常數。
令：j＝l/f，j就稱為電極常數，可得到 g＝i2/（ρj）式中：k=1/ρ就稱為電導率。
單位為s/。
電導率k的意義就是截面積為褲含lcm2，長度為陵手lcm的 導體的電導。當電導常數j=1時，電導率就等於電導，電導率是不同電解質溶液。
導電能力的表現。
電導率k，電導g，電阻率。
三者之間的關係如下： k＝jg＝i/ρ 式中j為電極常數，例如：電導率為的高純水，其電阻率應為： ρi/k＝1/。
半導體的導電型別？
9樓：經濟資料愛好
鍺、矽、硒、砷化鎵及許多金屬氧化物和金屬硫化物等物體，它們的導電能力介於導體和絕緣體之間，叫做半導體。
半導體具有一些特殊性質。如利用半導體的電阻率與溫度的關係可製成自動控制用的熱敏元件（熱敏電阻）；利用它的光敏特圓掘春性可製成自動控制用的光敏元件，像光電池、光電管和光敏電阻等。
半導體還有乙個最重要的性質，如果在純淨的半導體物質中適當地摻入微量雜質測其導電能力將會成百萬倍地增加。利用這一特性可製造各種不同用途的半導體器件，如半導體二極體、三極體等。
把一塊半導體的散神一邊制成p型區，另一邊製成n型區，則在交界處附近形成乙個具有特殊效能的薄層，一般稱此薄層為pn結。圖中上部分為p型半導橘耐體和n型半導體介面兩邊載流子的擴散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為pn結的形成過程，示意載流子的擴散作用大於漂移作用（用藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。
下邊部分為pn結的形成。表示擴散作用和漂移作用的動態平衡。
什麼叫半導體的兩種導電型別？
10樓：icgoo****
半導體有兩種導電型別，分別為p型半導體和n型半導體。它們的導電型別的差別在於摻入的雜質離子不同。
在半導體製造時，為了增加其導電性，通常會有意地將一些雜質元素摻入到半導體晶體內。這種方法叫做摻雜。
當摻入三價元素如硼、鋁等時，它們都缺電子而帶有一些正電荷，它們會和半導體中原有的四價元素如矽、鍺等發生共價鍵的連線，從而形成空穴，在半導體中，空穴相當於乙個缺電子的位置，可以看作一種帶正電荷的粒子。這時，半導體就演變成了p型半導體。
當摻入五價元素如磷、砷等時，它們都有過多的電子，因此會多出幾個悄局電子，這些額外的電子會與半導體原有的四價元素如矽、鍺等形成共價鍵，從而形成額外的電子。這時半導體就演變成了n型半導體。
在p型高搭半導體中，電流主要由空穴貢獻；在n型半導體中，電流主要由外來的自由電子貢獻。在半導體器件中，p型半導體和n型半導體是用於實現各種功啟念讓能的重要基礎。
半導體電導率隨溫度變化
11樓：厚琪茆綺波
你給的第二句話說的是在高溫下電阻率隨著溫度的公升高而下降，這句話是對的，後面那句應該是金屬的電導率則隨著溫度的公升高一直公升高。你自己問的問題「既然在室溫下電阻率隨溫度的公升高而增大」這句話是錯誤的，應該是這樣的「在室溫下電阻率隨溫度的公升高而減少」
半導體的電導率大小主要取決於什麼
12樓：
摘要。您好，半導體的電導率大小主要取決於：（1）溫度：
電導率與溫度具有很大相關性。金屬的電導率隨著溫度的增高而降低。半導體的電導率隨著溫度的增高而增高。
在一段溫度值域內，電導率可以被近似為與溫度成正比。為了要比較物質在不同溫度狀況的電導率，必須設定乙個共同的參考溫度。電導率與溫度的相關性，時常可以表達為，電導率對上溫度線圖的斜率。
金屬的電導率隨著溫度的增高而降低。半導體的電導率隨著溫度的增高而增高。在一段溫度值域內，電導率可以被近似為與溫度成正比。
為了要比較物質在不同溫度狀況的電導率，必須設定乙個共同的參考溫度。電導率與溫度的相關性，時常可以表達為，電導率對上溫度線圖的斜率。
2）摻雜程度：固態半導體的摻雜程度會造成電導率很大的變化。增加摻雜程度會造成高電導率。
水溶液的電導率高低相依於其內含溶質鹽的濃度，或其它會分解為電解質的化學雜質。水樣本的電導率是測量水的含鹽成分、含離子成分、含雜質成分等等的重要指標。水越純淨，電導率越低（電阻率越高）。
水的電導率時常以電導係數來紀錄；電導係數是水在 25°c 溫度的電導率。
什麼是“電導”，什麼是電導率
酷娛記 電導是用於表示某一種導體傳輸電流能力的強弱程度，是反映洩漏電流和空氣遊離所引起的有功功率損耗的一種引數。電導的符號表示為s，單位是siemens 西門子 本身結點電壓產生電流所通過的電導為自導，這個電流的方向一定是流出結點的，自電導總是正的，他等於連線於各結點支路電導之和。互導 互電導 總是...
純淨水的電導率單位是什麼？純水的電導率是多少
純水電導率單位m cm,去離子水的電導率值為。純淨水指的是不含雜質的h2o，簡稱淨水或純水，是純潔 乾淨，不含有雜質或細菌的水，如有機汙染物 無機鹽 任何新增劑和各類雜質，是以符合生活飲用水衛生標準的水為原水。純淨水可以通過電滲析器法 離子交換器法 反滲透法 蒸餾法及其他適當的加工方法制得而成，密封...
電導率儀的工作原理是，電導率儀工作原理是什麼？
上海 電導率儀的工作原理其實就是按歐姆定律測定平行電極間溶液部分電阻。但是，當電流通過電極時，會發生氧化或還原反應，從而改變電極附近溶液的組成，產生 極化 現象，從而引起電導測量的嚴重誤差。為此，採用高頻交流電測定法，可以減輕或消除上述極化現象，因為在電極表面的氧化和還原迅速交替進行，其結果可以認為...