1樓：匿名使用者
氮化鎵材料主要是用在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面的，目前市場上專門做這種材料的不多，利亞德參股的saphlux公司算是實力比較強的乙個了。
2樓：暖憶江南
什麼是第三代半導體材料？
第三代是指半導體材料的迭代變化，從第一代、第二代過渡到第三代。第一代半導體材料主要是指以si、ge元素為主的半導體，它們是半導體分立器件、積體電路和太陽能電池的基礎材料，但是矽基晶元經過長期發展，已經正在逐漸接近材料的極限，矽基器件效能提高的潛力也越來越小。
第二代半導體材料主要是指如砷化鎵、銻化銦等化合物半導體材料，其中以砷化鎵（gaas）為代表，砷化鎵擁有一些比矽更好的電子特性，可以用在高於250ghz的場合，並且砷化鎵比同樣的矽基器件更適合運用在高功率的場合，可以運用在衛星通訊、雷達系統等地方。
第三代半導體材料以氮化鎵（gan）和碳化矽（sic）、氧化鋅（zno）、金剛石等寬禁帶物質為代表。事實上，三代半導體材料之間的主要區別就是禁帶寬度。現代物理學描述材料導電特性的主流理論是能帶理論，能帶理論認為晶體中電子的能級可劃分為導帶和價帶，價帶被電子填滿且導帶上無電子時，晶體不導電。
當晶體受到外界能量激發（如高壓），電子被激發到導帶，晶體導電，此時晶體被擊穿，器件失效，禁帶寬度代表了器件的耐高壓能力。跟前兩代相比，第三代半導體的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，具有更強的耐高壓、高功率能力，更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
第三代半導體材料以氮化鎵（gan）、碳化矽（sic）、氧化鋅（zno）、金剛石為代表，是5g時代的主要材料，其中氮化鎵（gan）和碳化矽（sic）的市場和發展空間最大。根據omdia的《2023年sic和gan功率半導體報告》，到2023年底，全球sic和gan功率半導體的銷售收入預計8.54億美元。
未來十年年均兩位數增長率，到2023年將超過50億美元。
來看，在軍事領域，gan可用於雷達、電子對抗、飛彈和無線通訊通，碳化矽（sic）主要用於噴氣發動機、坦克發動機、艦艇發動機；在民用商業領域，氮化鎵（gan）用於基站、衛星通訊、有線電視、手機充電器等小家電，而碳化矽（sic）主要用於電動汽車、消費電子、新能源、軌道交通等。
實際上，氮化鎵（gan）技術並不是一種新的半導體技術，自2023年起就已經常被用在發光二極體中，但成本昂貴。從製造工藝上來說，氮化鎵沒有液態，不能使用單晶矽生產工藝的傳統直拉法拉出單晶，需要純靠氣體反應合成，而氮氣性質非常穩定，鎵又是非常稀有的金屬（鎵是伴生礦，沒有形成集中的鎵礦，主要從鋁土礦中提煉，成本比較高），而且兩者反應時間長，速度慢，反應產生的副產物多。生產氮化鎵對裝置要求又苛刻，技術複雜，產能極低，眾多因素疊加影響導致氮化鎵單晶材料很貴。
氮化鎵這種材料有哪些應用呢，氮化鎵材料一般會用在什麼地方呢？哪家企業有在做？
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