1樓：匿名使用者
僅供參考
背散射電子像的襯度要比二次電子像的襯度大,二次電子一般用於形貌分析,背散射電子一般用於區別不同的相.
二次電子像：
1）凸出的尖稜,小粒子以及比較陡的斜面處二次電子產額較多,在熒光屏上這部分的亮度較大.
2）平面上的二次電子產額較小,亮度較低.
3）在深的凹槽底部儘管能產生較多二次電子,使其不易被控制到,因此相應襯度也較暗.
背散射電子像：
1）用背散射電子進行形貌分析時,其解析度遠比二次電子像低.
2）背散射電子能量高,以直線軌跡逸出樣品表面,對於背向檢測器的樣品表面,因檢測器無法收集到背散射電子而變成一片陰影,因此,其圖象襯度很強,襯度太大會失去細節的層次,不利於分析.因此,背散射電子形貌分析效果遠不及二次電子,故一般不用背散射電子訊號.
2樓：
產生：被入射電子束轟擊出樣品表面的核外電子特徵：（1）二次電子在表層5-10nm深度發射出來，能量低於50ev。
（2）二次電子產額對樣品表面形貌敏感，而與樣品表面原子序數無明顯依賴關係，因此無法用來做成分分析，經常用來做表面形貌分析。sem的解析度就是二次電子的解析度。
二次電子的像襯度取決於試樣表面相對於入射電子束的傾角，隨樣品表面傾角增加，二次電子發射係數增加。
什么是運球二次，什麼是運球二次？
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