1樓：魏旎貝炫
ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體公升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平台的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提公升。haswell-e作為新的旗艦提公升最大兩點乙個是6核公升級8核，另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
ddr4記憶體金手指變的彎曲了，並沒有沿著直線設計，這究竟是為什麼呢？一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每乙個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
ddr4與ddr3記憶體差異四：容量和電壓
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶元512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.
5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
2樓：匿名使用者
【概括而言，區別如下】：
1.ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀
2.ddr4記憶體頻率提公升明顯，可達4266mhz
3.ddr4記憶體容量提公升明顯，可達128gb
4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低
【詳細區別包括以下5方面】：
一、頻率和電壓
在頻率方面，ddr4記憶體的工作頻率將從2133mhz 起跳，最高甚至可以達到4266mhz。這個頻率相比ddr3 記憶體有相當大的提公升。在電壓方面，ddr3 記憶體的工作電壓為1.
5v，而ddr4記憶體的工作電壓將近一步的降低，預計最低可以做到1.2v。
二、傳輸機制
相對於ddr3，ddr4的一大改進就體現在訊號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支援single-endedsignaling訊號( 傳統se訊號)外，還引入了differentialsignaling( 差分訊號技術 )技術。
三、訪問機制
對於ddr3記憶體來說，目前資料讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在ddr4記憶體中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是ddr4整個儲存系統的關鍵性設計。點對點相當於一條主管道只對應乙個水箱（這種機制的改變其實並不會對傳輸速度產生太大的影響，因為主管道的大小並沒有改變），這樣設計的好處可以大大簡化記憶體模組的設計、更容易達到更高的頻率。
四、封裝技術
ddr4記憶體採用3ds封裝技術，3ds（3-dimensional stack，三維堆疊）技術是ddr4記憶體中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶元的容量。在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。
五、外觀
ddr3記憶體金手指是240個，記憶體金手指是平直的；而ddr4記憶體金手指是284個，記憶體金手指呈彎曲狀。
3樓：休聽南戲真
ddr是雙倍資料速率(double
data
rate)。ddr與普通同步動態隨機儲存器（dram）非常相象。普通同步dram（現在被稱為sdr）與標準dram有所不同。
標準的dram接收的位址命令由二個位址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一位址字由原始位址選通（ras）鎖存在dram晶元。
緊隨ras命令之後，列位址選通（cas）鎖存第二位址字。經過ras和cas，儲存的資料可以被讀取。
同步動態隨機儲存器（sdr
dram)由乙個標準dram和時鐘組成，ras、cas、資料有效均在時鐘脈衝的上公升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以**資料和剩餘指令的位置。因而，資料鎖存選通可以精確定位。
由於資料有效視窗的可預計性，所以可將儲存器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈衝串模式，可進行連續位址獲取而不必重複ras選通。連續cas選通可對來自相同源的資料進行再現。
ddrⅱ記憶體中，依然是在時鐘上沿和下沿觸發傳輸的。而非一些**所說的上下沿各兩次傳輸資料。而ddrⅱ記憶體和ddr記憶體的最大差異之處在於ddrⅱ記憶體內部為4bit預取。
所謂的4bit預取事實上是指記憶體晶元能夠在1個週期內提供4倍的傳輸速度。而之前的ddr記憶體採用的則是2bit預取。
因為4bit預取的應用，使得ddrⅱ記憶體的內部工作頻率只有i/o觸發頻率的一半，這樣一來ddrⅱ533mhz的內部工作頻率變成了266mhz，所以ddrⅱ記憶體能夠輕易地實現等效於667mhz甚至800mhz的傳輸率。
ddr3記憶體已經有了，速度兩倍於ddrⅱ，目前主要用於對速度要求較高的顯示卡上，用來作視訊記憶體。
4樓：梅氣蒼北
ddr4相比ddr3最大的區別有三點：16bit預取機制（ddr3為8bit），同樣核心頻率下理論速度是ddr3的兩倍，更可靠的傳輸，工作電壓降為1.2v，更節能，ddr4頻率更高，
5樓：回啟章華
玩遊戲，記憶體的影響微乎其微，ddr4記憶體頻率高了，但延遲也高了，ddr3記憶體雖然頻率低一些，但延遲也低，具體效能差多少，沒法量化，玩遊戲的差距第一是顯示卡，第二是cpu，記憶體只要容量符合要求，對遊戲的影響可以忽略不計
6樓：甘柔麗希颯
首先2者不通用，不相容。
其次，ddr4目前只能配合第6代酷睿處理器，頻率更高，功耗更小。防呆缺口更靠近正中間。
唯一沒有區別的可能是**，所以也導致很多公升級的朋友買錯記憶體條了。
7樓：祭全貴癸
1.ddr4的頻率高，執行速度快
2.ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％
現在的主流是ddr3，ddr4的記憶體現在還是太新，很多主機板不支援，不過ddr4的執行速度很快，**也高。
望採納！！！
8樓：冼採南鏡茗
ddr4記憶體是新一代的記憶體規格，和ddr3相比最大區別有三點：
1、16bit預取機制（ddr3為8bit），也就說同樣工作頻率下理論速度是ddr3的兩倍；
2、更加可靠的傳輸規範，也就是資料可靠性提高；
3、工作電壓降為1.2v，更節能，發熱量降低。
筆記本記憶體條ddr4和ddr3的區別
9樓：
筆記本記憶體條ddr4和ddr3的區別有：
外形處理器
引數ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體公升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平台的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提公升。haswell-e作為新的旗艦提公升最大兩點乙個是6核公升級8核，另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
ddr4金手指變化較大
宇瞻ddr4記憶體金手指變的彎曲了，並沒有沿著直線設計，這究竟是為什麼呢？一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每乙個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
從宇瞻32gb ddr4-2133記憶體來看，僅預設頻率頻寬就高達48.4gb/s，可見ddr4對系統效能提公升重要性。
另外就是其它引數的改變，比如容量和電壓。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶元512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.
5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
參考資料
記憶體條.zol[引用時間2017-12-24]
10樓：
1.ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀2.ddr4記憶體頻率提公升明顯，可達4266mhz3.
ddr4記憶體容量提公升明顯，可達128gb4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低。
對獨顯主機提公升很小，最高提公升10%的遊戲效能。但對apu和集顯的遊戲效能能比1600的ddr3提公升最高40%
DDR4與DDR3有什麼區別，記憶體條 DDR3和DDR4是什麼？有什麼不一樣？
atm半夏熒光 ddr3和ddr4的區別如下 一 外觀不一樣 一般情況下ddr4記憶體金手指觸點達到了284個，而且每一個觸點間距只有0.85mm，ddr3記憶體金手指觸點是240個，因為這一改變，ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在 的高點和兩端的低點用平滑曲線過渡。...
ddr4的記憶體條愛ddr3強多少
怪獸別跑 ddr3和dd4記憶體效能能過魯大師和3dmark11的測試得出差距幾乎為零。原因請看下圖 用i5 6500處理器，一台機器用ddr3 1866記憶體 實際發揮ddr3 1600 c1 10的效能 另外一台用ddr4 2133記憶體，整機效能幾乎一樣。ddr4的延遲值較大，而ddr3延遲值...
記憶體條ddr3和ddr4哪個好有什麼區別
休聽南戲真 ddr是雙倍資料速率 double data rate ddr與普通同步動態隨機儲存器 dram 非常相象。普通同步dram 現在被稱為sdr 與標準dram有所不同。標準的dram接收的位址命令由二個位址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一位址字由原始位址選通 ras 鎖...