1樓：朱杞檸
二極體中p區以空穴（正電荷）為主，n區以電子（負電荷）為主
p區和n區中間的pn結構是p端為負離子，n端為正離子。顯然pn結阻止了p區和n區中電子和空穴的擴散。即p區的正電荷和n區的負電荷由於pn結的阻擋而不能擴散
當二極體外加正向電壓（p區接高電平，n區接低電平）時，外加電壓的方向和pn結所形成的內電場的方向相反。因此外加電壓削弱了pn結，增強了擴散運動。
反之外加反向電壓時，正好加強了pn結的阻擋作用，因此擴散運動得不到加強。
簡言之：二極體外加正向電壓時，削弱了pn結的阻擋作用，外加反向電壓時增強了pn結的阻擋作用
半導體二極體為什麼能單向導電呢？
2樓：jie陽
首先，糾正一下你的說法，不是“二極體具有單向導電性”，應該說是“pn結具有單向導電性”。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時，p型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的pn結叫同質結，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在p型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的。n型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區。
p型半導體一邊的空間電荷是負離子，n型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散，達到平衡。
在pn結上外加一電壓，如果p型一邊接正極，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
二極體為什麼具有單向導電性
3樓：愛寶寶的胖老公
二極體一般是又矽或是鍺管組成,他們的開啟電壓也就是工作電壓很低,一般矽管的開啟電壓是0.3v,鍺管的開啟電壓是0.7v.
二極體中p區以空穴（正電荷）為主，n區以電子（負電荷）為主
p區和n區中間的pn結構是p端為負離子，n端為正離子。顯然pn結阻止了p區和n區中電子和空穴的擴散。即p區的正電荷和n區的負電荷由於pn結的阻擋而不能擴散
當二極體外加正向電壓（p區接高電平，n區接低電平）時，外加電壓的方向和pn結所形成的內電場的方向相反。因此外加電壓削弱了pn結，增強了擴散運動。
反之外加反向電壓時，正好加強了pn結的阻擋作用，因此擴散運動得不到加強。
如果反向加電壓,由於外加電壓比它們的開啟電壓大,就會擊穿二極體!
4樓：君喲喲喲
二極體構成的主要材料是半導體材料,以矽為例,矽中摻雜少量的氮元素或磷元素時,由於矽的最外層有4個電子與磷的五個電子成鍵,就有一個電子剩餘,這個電子就是自由電子,同樣摻雜氮時就少一個電子.而二極體是這兩種材料做成的,在這兩種材料的結合處多的電子就會向少電子的材料運動,就形成了電場.電場的方向與多出來的電子運動方向相反,這個就是pn結,p是磷,n是氮.
pn結只能讓電子單方向運動.根據這個原理做成的二極體就具有單方向導電性.採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結.
pn結具有單向導電性。
二極體為什麼具有單向導電性？
5樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是“二極體具有單向導電性”，應該說是“pn結具有單向導電性”。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
希望對你有幫助
6樓：t煙花8月
二極體即是pn結，p結中摻入了3價元素，含有多數的空穴（正電荷），n結摻入了5價元素，含有多數的電子，因此pn組合到一起時，多數的空穴和多數的電子自由的定向移動，在pn結中形成了一個內部電場，該電場同時又阻止pn結的擴散運動，正向接電壓時（p接正極，n接負極），內部電場和外部電池電場疊加，加速定向移動，即電流流過，因此pn結即二極體具有單向導電性
希望對你能有所幫助。
半導體二極體為什麼具有單向導電性？
7樓：匿名使用者
因為晶體二極體是用矽（si)或鍺(ge)半導體材料製造的，所謂半導體是指導電效能介於導體和絕緣體之間的物體。它內部是在矽或鍺單晶基片上，加工出p型區和相鄰的n型區即pn結正向偏置時，電阻很小，外於導通狀態，pn結反向偏置時，電阻很大，外於截止狀態。綜上所述，晶體二極體是用矽或鍺材料製造的半導體器件，它的內部是一個具有單向導電性的pn結，所以二極體具有單向導電性。
為什麼二極體是單向導電？原理是什麼？
8樓：匿名使用者
首先，糾正一下你的說法，不是“二極體具有單向導電性”，應該說是“pn結具有單向導電性”。由於通常情況下的二極體具有一個pn結所以可以簡單地理解為它具有單向導電的效能，但這不是他作為二極體後具有的特性。
具體理由要從pn結開始說起：
採用不同的摻雜工藝,將p型半導體與n型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。
pn結：一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是p型半導體，另一部分摻有施主雜質是n型半導體時 ，p 型半導體和n型半導體的交介面附近的過渡區稱。pn結有同質結和異質結兩種。
用同一種半導體材料製成的 pn 結叫同質結 ，由禁頻寬度不同的兩種半導體材料製成的pn結叫異質結。製造pn結的方法有合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法等。製造異質結通常採用外延生長法。
在 p 型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下，空穴是可以移動的，而電離雜質（離子）是固定不動的 。n 型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。
當p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有分佈在空間的帶電的固定離子，稱為空間電荷區 。
p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ，n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場，這電場阻止載流子進一步擴散 ，達到平衡。
在pn結上外加一電壓 ，如果p型一邊接正極 ，n型一邊接負極，電流便從p型一邊流向n型一邊，空穴和電子都向介面運動，使空間電荷區變窄，甚至消失，電流可以順利通過。如果n型一邊接外加電壓的正極，p型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離介面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過。這就是pn結的單向導性。
pn結加反向電壓時 ，空間電荷區變寬 ， 區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將pn結燒燬。
反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿和雪崩擊穿。
pn結加反向電壓時，空間電荷區中的正負電荷構成一個電容性的器件。它的電容量隨外加電壓改變。
根據pn結的材料、摻雜分佈、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體、檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體；利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電效應與pn結相結合還可以製作多種光電器件。
如利用前向偏置異質結的載流子注入與複合可以製造半導體鐳射二極體與半導體發光二極體；利用光輻射對pn結反向電流的調製作用可以製成光電探測器；利用光生伏特效應可製成太陽電池。此外，利用兩個pn結之間的相互作用可以產生放大，振盪等多種電子功能 。pn結是構成雙極型電晶體和場效應電晶體的核心，是現代電子技術的基礎。
二極體具有單向導電性，加正向電壓時，二極體電阻較小，通過二極體的電流較大，加反向電壓則相反，為什麼
要知道加 正向電壓時，二極體電阻較小，通過二極體的電流較大，加反向電壓則相反 這個問題，就得弄清楚二極體的原理及其構造。二極體的原理實質上與pn結有關，pn結加正向電壓 即給二極體的正極接電壓的正極，負極接負極通電 反向電壓反之 會使pn結內電場變的越來越窄，從而電阻就越來越小 說白了，電阻的大小就...
二極體的單向導電性具體指什麼，二極體為什麼具有單向導電性？
hr你的老婆 二極體的單向導電性具體指 只允許電流由單一方向通過 稱為順向偏壓 反向時阻斷 稱為逆向偏壓 二極體的單向導電特性是指二極體在正常工作過程中，加正向電壓，二極體導通，阻值很低 加反向電壓，反向電流很小，二極體處於高阻截止狀態。二極體是把p型半導體和n型半導體結合在一起形成的。只有在pn方...
物理 用電池測二極體的單向導電性時，電流從正極出發，經發光二極回電源負極。電子不是從電源負極出發嗎
橋邊物理小地攤 答 理解規律不能亂哈。單向導電性就是指按我們規定的電流方向來說，從其正極流入，負極流出時，其電阻很小 正向電阻小 而相反連線，電流通過時，其電阻很大。而這裡所說的都是物理學中規定的電流方向，即正電荷定向移動的方向。實際金屬導體中，自由移動的電荷是負電荷，其定向移動的方向與我們定義的電...