1樓：blackpink_羅捷
就是“漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id”。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。
在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。
這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。
因漂移電場的強度幾乎不變產生id的飽和現象。其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
2樓：
場效電晶體fet是由傳統塊體半導體制造技術製造，使用單晶半導體矽片作為反應區，或者溝道。大部分的不常見體材料，主要有非晶矽、多晶矽或其它在薄膜電晶體中，或者有機場效應電晶體中的非晶半導體。有機場效應電晶體基於有機半導體，常常用有機柵絕緣體和電極。
柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過製造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個外加的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。
體很簡單的就是指柵極、漏極、源極所在的半導體的塊體。
通常體端和一個電路中最高或最低的電壓相連，根據型別不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中最高或最低的電壓上。當然有時一些電路中fet並沒有這樣的結構，比如級聯傳輸電路和串疊式電路。
擴充套件資料
柵極電壓對電流的影響
計算機**展現的奈米線mosfet中反型溝道的形成（電子密度的變化）。閾值電壓在0.45v左右。fet通過影響導電溝道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者空穴流）。
溝道是由（是否）加在柵極和源極的電壓而創造和影響的（為了討論的簡便，這預設體和源極是相連的）。導電溝道是從源極到漏極的電子流。
3樓：匿名使用者
場效電晶體工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id”。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。
從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的 強度幾乎不變產生id的飽和現象。
其次，vgs向負的方向變化，讓vgs=vgs(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且vds的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
特點：場效電晶體與雙極型電晶體相比，場效電晶體具有如下特點：
1、場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；
2、場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012ω）很大。
3、它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
4、它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
5、場效電晶體的抗輻射能力強；
6、由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
作用：1、場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2、場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3、場效電晶體可以用作可變 電阻。
4、場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5、場效電晶體可以用作電子開關。
4樓：電子愛好者小彭
場效電晶體你內部結構，工作原理和電路中的幾種用法
誰能簡單的講一講三極體和場效電晶體的工作原理
5樓：蓴灬叔
1、三bai
極管是雙極型管子，即管子工作du
時內部由空穴zhi和自由電子兩種載流dao子參與。回場效電晶體是單
答極型管子，即管子工作時要麼只有空穴，要麼只有自由電子參與導電，只有一種
載流子2、三極體屬於電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流場效電晶體屬於電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流3、三極體輸入阻抗小，場效電晶體輸入阻抗大
4、有些場效電晶體源極和漏極可以互換，三極體集電極和發射極不可以互換5、場效電晶體的頻率特性不如三極體
6、場效電晶體的噪聲係數小，適用於低噪聲放大器的前置級7、如果希望訊號源電流小應該選用場效電晶體，反之則選用三極體更為合適
6樓：匿名使用者
你別想太多，先記住結論就行了，這個需要量子力學，半導體物理做基礎然後研究半導體器件才能解決，一句兩句說不清楚的
場效電晶體幹什麼用的，場效電晶體工作原理是什麼？
場效應電晶體 field effect transistor縮寫 fet 簡稱場效電晶體。主要有兩種型別 junction fet jfet 和金屬 氧化物半導體場效電晶體 metal oxide semiconductor fet，簡稱mos fet 由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬...
主機板場效電晶體代換問題，主機板場效電晶體壞了該怎麼替換
你先用萬用表測一下場管是nch還是pch的，但是基本不用測，主機板上的場管幾乎百分百nch的，所以只要是主機板上的場管你都可以直接代換的 華碩和華擎cpu電路中的場管除外，那種場管是結型管 主機板場效電晶體壞了該怎麼替換 cpu供電的場管能替換主機板上絕大多數字置的場管，這是餅哥教的。隨便找個cpu...
場效電晶體放大電路
不可以.場效電晶體允許通過的電流比電晶體要小很多,功率不大,不能用作功放管.就是電晶體也要接成互補或推挽結構才能用作功放管.你也可以考慮用集成功率放大器,這個也不貴,而且效能好,電路更簡單as6787說的 可以,高極功放都是用功率場效電晶體,有電子管功放的效果功率放大常用的是igbt和vmos,ig...