1樓：
場效應電晶體(field effect transistor縮寫(fet))簡稱場效電晶體。主要有兩種型別(junction fet-jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet)。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10~10ω)、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體(fet)是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。fet 英文為field effect transistor，簡寫成fet。
主要用途。1.場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效電晶體可以用作可變電阻。
4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5.場效電晶體可以用作電子開關。
特點。（1）場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs來控制id；
2）場效電晶體的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大；
3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
5）場效電晶體的抗輻射能力強；
6）由於不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒雜訊，所以雜訊低。
場效電晶體工作原理是什麼？
2樓：小張愛聊教育
場效電晶體工作原理是場效應電晶體。
一般的電晶體是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型電晶體，而fet僅是由多數載流子參與導電。
它與雙極型相反，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109ω）、雜訊小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
分類
場效電晶體分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效電晶體（jfet）因有兩個pn結而得名，絕緣柵型場效電晶體（jgfet）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。
目前在絕緣柵型場效電晶體中，應用最為廣泛的是mos場效電晶體，簡稱mos管（即金屬－氧化物－半導體場效電晶體mosfet）；此外還有pmos、nmos和vmos功率場效電晶體，以及最近剛問世的πmos場效電晶體、vmos功率模組等。
場效電晶體主要用途是哪些？ 15
3樓：人設不能崩無限
場效應電晶體（fet）是利用電場效應控制電流的單極半導體器件。它具有輸入阻抗高、雜訊低、熱穩定性好、製造工藝簡單等特點。它被應用於大規模和超大規模積體電路中。
場效電晶體工作原理用一句話說，就是「漏極-源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id」。更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。
在vgs=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極-源極間所加vds的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流id流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，id飽和。將這種狀態稱為夾斷。
這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。
4樓：大炮
各種用途都用上。用在開關電源比較多。
場效電晶體的工作原理
blackpink 羅捷 就是 漏極 源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id 更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs 0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極 源極間所加v...
主機板場效電晶體代換問題，主機板場效電晶體壞了該怎麼替換
你先用萬用表測一下場管是nch還是pch的，但是基本不用測，主機板上的場管幾乎百分百nch的，所以只要是主機板上的場管你都可以直接代換的 華碩和華擎cpu電路中的場管除外，那種場管是結型管 主機板場效電晶體壞了該怎麼替換 cpu供電的場管能替換主機板上絕大多數字置的場管，這是餅哥教的。隨便找個cpu...
場效電晶體放大電路
不可以.場效電晶體允許通過的電流比電晶體要小很多,功率不大,不能用作功放管.就是電晶體也要接成互補或推挽結構才能用作功放管.你也可以考慮用集成功率放大器,這個也不貴,而且效能好,電路更簡單as6787說的 可以,高極功放都是用功率場效電晶體,有電子管功放的效果功率放大常用的是igbt和vmos,ig...