1樓：劉萬允
用微控制器去控制，想怎樣就怎樣?很方便。關鍵要會微控制器，會電子入門技術，才是關鍵。不然都是空談，沒用的。場效電晶體要注意防靜電。很容易燒壞的。
舉個例子：
做乙個場效電晶體的的開關電路，控制25w 24v的電磁鐵 ，電源 直流24v ，訊號電壓 8v，最低1.7v ，訊號和輸出都是兩個 ，乙個離合， 乙個剎車 ，交替執行 每秒大約5次。
方法：1.7至8v的訊號電壓通過限流電阻接至三極體基極，三極體集電極觸發由cd4013數字積體電路電路組成的單穩態電路，數位電路4013的輸出端q和q非分別驅動2個場效電晶體，二個效應管均可驅動電磁鐵線圈，使離合、剎車交替進行，選取合適的單穩態電阻和電容元件可以使離合 、剎車每秒1次以上。
2樓：華錄_起點
看你是用來控制什麼的......
nmos管是柵極高電平通，低電平斷，可以用來控制地的通斷pmos管是柵極低電平通，高電平斷，可以用來控制電的通斷下圖是控制mos管通斷的乙個例子：
微控制器引腳給出高電平時，mos管導通，mos管的2腳有電壓輸出當給出低電平時，mos管斷開，無電壓輸出。
3樓：匿名使用者
和三極體開關狀態一樣，也就是說通過脈衝訊號控制場效電晶體的導通和截止，場效電晶體的開關特性（也就是說從導通到截止所需時間遠遠小於三極體，且漏源極電壓可以做的更高）。
4樓：富貴之道院小師弟葫蘆娃
你把他當三極體來用是乙個樣的，n性cmos對應npn三極體。p性cmos對應pnp三極體。源極----發射極；漏極----集電極；柵極----基極。
場效電晶體和三極體的區別是乙個是電壓控制的，乙個是電流控制的。前者輸入電阻高，後者輸入電阻低。前者絕緣性能更好，後者作為截止的時候漏電流稍微大一點點。
前者門開關的速度更快，後者速度稍微慢點，因為是電流型的嘛。
型號嘛，手冊上多的是，要什麼有什麼，作為設計者應該學會查手冊。
5樓：匿名使用者
微控制器io口的輸出直接驅動mosfet就可以，或者說在中間串聯乙個小的電阻。
至於用什麼場效電晶體，就要看通過場效電晶體的電流和電壓啦，一般場效電晶體的反壓是電壓的1.5-2倍，場效電晶體的額定電流是通過它電流的3-5倍就可以啦。如果發熱比較嚴重還要在管子上加散熱片。
如何用場效電晶體設計乙個開關電路，通過微控制器能夠控制負載的電源5v通斷？ 5
6樓：匿名使用者
實用電路如下圖（用n溝道的增強型mos管電路形式最為簡潔，選一款通態電阻小的mos管，耐壓不必高，額定電流夠了就行）——
7樓：陳泳菁
可以看電磁繼電器相關資料
8樓：小齊歲月
哦，很簡單的，pwm波形由微控制器產生，加到mosfet的門極。高電平則開，則負載電源5v通，低則閉合電源5v斷。整個迴路串聯就可以。
場效電晶體如何做開關使用，硬體如何連，微控制器如何控制？
9樓：匿名使用者
如果只是要控制12v繼電器開合,是不是太浪費了呢,乙個irf640要3塊錢左右,用乙個三極體不是很好吧,如果要驅動irf640還得用到光耦,成本太大,如果要用的話圖上的就可以,光耦那裡是4路的,你選一路就行了 ,p1.0給出乙個低電平到pc817的2腳《圖可看出》即可
10樓：渢
你去查查irf640的驅動方法吧。
這兩顆引數類似，irf640n是irf640的改進型，導通電阻要小一些
這顆mos驅動vgs電壓至少超過10v以上拿3.3v電壓肯定控制不了的。
加一級三極體或者光偶把控制電平提公升到12v試試
主機板場效電晶體代換問題，主機板場效電晶體壞了該怎麼替換
你先用萬用表測一下場管是nch還是pch的，但是基本不用測，主機板上的場管幾乎百分百nch的，所以只要是主機板上的場管你都可以直接代換的 華碩和華擎cpu電路中的場管除外，那種場管是結型管 主機板場效電晶體壞了該怎麼替換 cpu供電的場管能替換主機板上絕大多數字置的場管，這是餅哥教的。隨便找個cpu...
場效電晶體放大電路
不可以.場效電晶體允許通過的電流比電晶體要小很多,功率不大,不能用作功放管.就是電晶體也要接成互補或推挽結構才能用作功放管.你也可以考慮用集成功率放大器,這個也不貴,而且效能好,電路更簡單as6787說的 可以,高極功放都是用功率場效電晶體,有電子管功放的效果功率放大常用的是igbt和vmos,ig...
場效電晶體 使用原則
mos場效電晶體 即金屬 氧化物 半導體型場效電晶體，英文縮寫為mosfet metal oxide semiconductor field effect transistor 屬於絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻 最高可達1015 它也分n溝道...