為什麼隨溫度公升高，半導體電阻變小，導體電阻變大

1樓：匿名使用者

特性電阻率介於金屬和絕緣體[1]之間並有負的電阻溫度係數的物質。半導體室溫時電阻率約在10e-5～10e7歐姆·公尺之間，溫度公升高時電阻率指數則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和矽是最常用的元素半導體；化合物半導體包括ⅲ-ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、ⅱ-ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。半導體：

意指半導體收音機，因收音機中的電晶體由半導體材料製成而得名。

2樓：匿名使用者

電阻有正溫度係數電阻和負溫度係數電阻，不知道是不是負溫度係數電阻都是半導體的？導體電阻阻值都是與溫度成正比的嗎？

3樓：匿名使用者

導體電阻會隨著溫度公升高會使它的電子會更加無序運動不能有序的做定向流動從而影響導電率（個人觀點）

半導體（借閱了網上的資料，希望樓主參考一下）：隨著溫度公升高,下面這些能帶中有些電子被激發到上面那個能帶當中(那個是導帶) ,這樣,留下的空穴和被激發到上面的電子都能參與導電,所以隨溫度公升高,它的導電能力增強了.

半導體的電阻為什麼隨溫度公升高而降低

4樓：清溪看世界

因為在一定溫度下，半導體的電子空穴對的產生和復合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度公升高時，將產生更多的電子空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。

半導體的五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。

擴充套件資料

摻雜對半導體結構的影響：

1、摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質半導體的能隙之間會出現不同的能階。施主原子會在靠近傳導帶的地方產生乙個新的能階，而受主原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。

2、摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施主與受主。施主原子帶來的價電子大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。

3、摻雜物對於能帶結構的另乙個重大影響是改變了費公尺能階的位置。在熱平衡的狀態下費公尺能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。

5樓：

這是熱敏電阻，是隨溫度的公升高而降低，是特殊材料做的；一般的電阻都是隨溫度的公升高而增大的。

6樓：

半導體具有負電阻溫度係數，其電阻值是隨溫度的公升高而減小，隨溫度的降低而增大。雖然溫度公升高粒子的無規則運動加劇，引起自由電子（或者空穴）遷移率略為下降，然而自由電子（或空穴）的數目隨溫度的公升高而增加得更快，所以溫度公升高其電阻值下降。

為什麼導體溫度越高，電阻越大

7樓：李冰繁彥珺

從分子的角度解釋是，溫度越高，意味著材料內部分子的能量越大，分子做雜亂運動數量和速度也越大。這些雜亂運動的分子，妨礙了外加電場時內部電子的定向移動（電流），所以材料呈現出較高的電阻。

8樓：偷了月亮的喵

導體的電阻與溫度有關.

純金屬的電阻隨溫度的公升高電阻增大,溫度公升高1℃電阻值要增大千分之幾.碳和絕緣體的電阻隨溫度的公升高阻值減小.半導體電阻值與溫度的關係很大,溫度稍有增加電阻值減小很大.

有的合金如康銅和錳銅的電阻與溫度變化的關係不大.電阻隨溫度變化的這幾種情況都很有用處.利用電阻與溫度變化的關係可製造電阻溫度計,鉑電阻溫度計能測量—263℃到1000℃的溫度,半導體鍺溫度計可測量很低的溫度.

康銅和錳銅是製造標準電阻的好材料.

半導體隨溫度電阻率逐漸變小，為什麼？

9樓：

以矽為例，在一定的溫度範圍內，半導體的電阻率隨溫度的公升高，而變小。因為半導體價帶上的電子，隨著溫度的公升高，不斷地被激發到導帶，使載流子的數量增加，其導電性得到不斷加強，電阻率變小；

當溫度上公升到一定高度，價帶電子的激發到了極限，同時晶格的熱振動加劇，對載流子的散射作用也增強。這時，隨著溫度的進一步公升高，半導體的電阻率則反而會增大。

10樓：匿名使用者

這是它本身的性質，一般半導體有這個性質，而普通的金屬導體則隨溫度公升高電阻公升高。