1樓:匿名使用者
區別主要在前端吧:用了sti,0.
35的話可以用local的方法進行隔離;用co做sab,的好像是用的ti;0.
18的gate生長好像是不用dope的,在後續s/d的時候一起打了,的話是dope的;然後的金屬層好像要比0.
35的多一些吧,呵呵,我一般看到的都是2p3或者2p4m的,的話一般都是5m以上了吧,還有就是0.
35多用pip做電容,的話多用mim做電容,請樓下的再補充,以及以上說的不正確的還請大家指正~
2樓:匿名使用者
下長一層沒有參雜的poly,再注入雜質,這樣可以精確的控制poly的電性引數。0.
35gate直接長參雜的poly,因為對poly的電性引數的要求不是很高。
3樓:匿名使用者
線寬不同,線寬越小能繼承的元件就越多,不過對可靠性的要求也高。
4樓:匿名使用者
的應該使用了sti了吧~ 還可以用local技術的。
誰能介紹一下cmos工藝 如0.18um工藝,0.5um工藝。這些工藝的簡介 不是製造流程工藝。
5樓:匿名使用者
不太明白工藝有什麼好簡介的。。。
可以知道的只是的工藝最小線寬是,同理工藝是。
後者本徵增益大於前者,但是速度要慢。
你想知道什麼?
求助,哪位大神有cadence中0.35um的工藝庫和**模型
6樓:你猜我猜哇擦猜
區別主要在前端吧:用了sti,0.
35的話可以用local的方法進行隔離;用co做sab,的好像是用的ti;0.
18的gate生長好像是不用dope的,在後續s/d的時候一起打了,的話是dope的;然後的金屬層好像要比0.
35的多一些吧,呵呵,我一般看到的都是2p3或者2p4m的,的話一般都是5m以上了吧,還有就是0.
35多用pip做電容,的話多用mim做電容,請樓下的再補充,以及以上說的不正確的還請大家指正~
電腦的cpu工藝具體是哪些?大神們幫幫忙
7樓:匿名使用者
cpu的生產工藝 表明cpu效能的引數中常有「工藝技術」一項,其中有「或「等。
一般來說「工藝技術」中的資料越小表明cpu生產技術越先進。目前生產cpu主要採用cmos技術。cmos是英語「互補金屬氧化物半導體」的縮寫。
採用這種技術生產cpu時過程中採用「光刀」加工各種電路和元器件,並採用金屬鋁沉澱在矽材料上後用 「光刀」刻成導線聯接各元器件。現在光刻的精度一般用微公尺(um)表示,精度越高表示生產工藝越先進。因為精度越高則可以在同樣體積上的矽材料上生產出更多的元件,所加工出的聯接線也越細,這樣生產出的cpu工作主頻可以做得很高。
正因為如此,在只能使用 u m工藝時生產的第一代pentium cpu的工作主頻只有60/66mhz,在隨後生產工藝逐漸發展到。
25um時、所以也相應生產出了工作主額高達266mhz的pentium mmx和主頻高達500mhz的pentium ii cpu。由於目前科學技術的限制,現在的cpu生產工藝只能達到0.25 u m,因此intel、amd、 cyrix以及其它公司正在向和銅導線(用金屬銅沉澱在矽材料上代替原來的鋁)技術努力,估計只要生產工藝達到0.
18um後生產出主頻為l000mhz的cpu就會是很平常的事了。 amd為了跟intel繼續爭奪下個世紀的微處理器發展權,已經跟摩托羅拉(motorola)達成一項長達七年的技術合作協議。motorola將把最新開發的銅導線工藝技術(copper interconnect) 授權給amd。
amd準備在2023年之內,製造高達1000mhz(1ghz)的k7微處理器。cpu將向速度更快、64位結構方向前進。cpu的製作工藝將更加精細,將會由現在0.
25微公尺向微公尺過渡,到2023年中大部分cpu廠商都將採用微公尺工藝,2023年之後,許多廠商都將轉向0.
13微公尺的銅製造工藝,製造工藝的提高,味著體積更小,整合度更高,耗電更少。銅技術的優勢非常明顯。主要表現在以下方面:
銅的導電性能優於現在普遍應用的鋁,而且銅的電阻小,發熱量小,從而 可以保證處理器在更大範圍內的可靠性;採用0.13微公尺以下及銅工藝晶元製造技術將有效的提高晶元的工作頻率;能減小現有管芯的 體積。與傳統的鋁工藝技術相比,銅工藝製造晶元技術將有效地提高晶元的速度,減小晶元的面積,從發展來看銅工藝將最終取代鋁工藝。
現在cpu的製作工藝都是多少,最好的是多少?
8樓:手機使用者
現在我cpu分為intel和amd以代表的兩大陣營!intel的現在最高好像是而amd為代表的速龍現在最高頻率為:3400+
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