1樓：匿名使用者
用30% naoh 減薄。時間自己琢磨。
再有矽片表面哪來的多晶矽？胡扯呢麼，磷矽玻璃吧，磷矽玻璃就得用hf了。
什麼是矽片
2樓：
摘要。親！矽片製成的晶元是有名的“神運算元”，有著驚人的運算能力。
無論多麼複雜的數學問題、物理問題和工程問題，也無論計算的工作量有多大，工作人員只要通過計算機鍵盤把問題告訴它，並下達解題的思路和指令，計算機就能在極短的時間內把答案告訴你。這樣，那些人工計算需要花費數年、數十年時間的問題，計算機可能只需要幾分鐘就可以解決。甚至有些人力無法計算出結果的問題，計算機也能很快告訴你答案。
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親！矽片，是製作積體電路的重要材料，通過對矽片進行光刻、離子注入等手段，可以製成各種半導體器件。
親！在公尺粒鉛搭大的矽片上，已能整合16萬個電晶體，這是科學技術進步的又乙個里程碑。地殼中含量達的矽元素，為單晶矽的生產提供了取答激段之不盡的源泉。
由於矽元素是地殼中儲量最豐富的元素之一，對太陽能電池這樣注定要進入大規模市場（清譽mass market）的產品而言，儲量的優勢也是矽成為光伏主要材料的原因之一。
親！矽片製成的晶元是有名的“神運算元”，有著驚人的運算能力。無論多麼複雜的數學問題、物理問題和工程問題，也無論計算的工作量有多大，工作人員只要通過計算機鍵盤把問題告訴它，並下達解芹坦題的思路和指令，計算機就能在極短的時間內把答案告答隱訴你。
這樣，那些人工計算需要花費數年、數十年時間的問題，計算機可能只需要幾分鐘就可以解決。甚至有些人力無法計算出結果的問題，嫌舉桐計算機也能很快告訴你答案。
什麼是矽片
3樓：江西國材科技****
矽片（silicon wafer）是一種薄而平坦的圓形矽基質材料，常用於積體電路（ic）製造和其他半導體器件的製備過程中。它是半導體工業中最常見的基板材料之一。
矽片通常由高純度單晶矽材料製成，具有良好的電學效能和機械效能。它的表面通常經過精細的加工和處理，以獲得高度平坦度和純淨度。
矽片的主要特點和用途如下：
1. 半導體製造：矽片是製造積體電路（ic）的基本材料之一。
通過在矽片表面沉積、刻蝕、摻雜等工藝步驟，可以製備出微小的電子元件和電路結構，如電晶體、電容器、電阻器等，從而實現電子器件的功能。
2. 光電器件製備：矽片也用於製備光電器件，如太陽能電池、光電二極體（led）、光感測器等。通過在兄鉛矽片上沉積特定的材料和結構，可以實現光電轉換和探測功能。
3. 微機械系統（mems）：矽片也是製備微機械系統頃塵衝的常用基板。通過在矽片上進行微細加工，可以製備出微小的機械結構，如微機械感測器、微機械執行器等。
4. 研究和測試：矽片廣泛應用於科學研究、測試和學術實驗中。研究人員可以在矽片上進行各種實驗和測雀殲試，以研究材料性質、器件效能等。
常見的直徑有2英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐英吋（公釐）和12英吋（公釐）
矽晶元的晶圓片
4樓：鐘湃
矽屬於半導體材料，其自身的導電性並不是很好。然而，可以通過新增適當的摻雜劑來精確控制它的電阻率。製造半導體前，必須將矽轉換為晶圓片(wafer)。
這要從矽錠的生長開始。單晶矽是原子以三維空間模式週期形成的固體，這種模式貫穿整個材料。多晶矽是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導體電路。
多晶矽必須融化成單晶體，才能加工成半導體應用中使用的晶圓片。加工矽晶元生成乙個矽錠要花一周到乙個月的時間，這取決於很多因素，包括大小、質量和終端使用者要求。超過75%的單晶矽晶圓片都是通過czochralski(cz，也叫提拉法)方法生長的。
單晶矽片和多晶矽片之間有什麼差異？
5樓：影子
目前單晶矽太陽能電池的光電轉換效率為17%左右，最高的達到24％，這是目前所有種類的太陽能電池中光電轉換效率最高的，但製作成本很大，以致於它還不能被大量廣泛和普遍地使用。由於單晶矽一般採用鋼化玻璃以及防水樹脂進行封裝，因此其堅固耐用，使用壽命最高可達25年。
多晶矽太陽電池的製作工藝與單晶矽太陽電池差不多，但是多晶矽太陽能電池的光電轉換效率則要降低不少，其光電轉換效率約15％左右。從製作成本上來講，比單晶矽太陽能電池要便宜一些，材料製造簡便，節約電耗，總的生產成本較低，因此得到大量發展。此外，多晶矽太陽能電池的使用壽命也要比單晶矽太陽能電池短。
從效能**比來講，單晶矽太陽能電池還略好。
6樓：鞠慕雲
在太陽能利用上，單晶矽和多晶矽也發揮著巨大的作用。雖然從目前來講，要使太陽能發電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產成本。從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶矽、多晶矽、帶狀矽、薄膜材料（包括微晶矽基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
從工業化發展來看，重心已由單晶向多晶方向發展，主要原因為；
1]可**太陽電池的頭尾料愈來愈少；
2]對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶矽可直接獲得方形材料；
3]多晶矽的生產工藝不斷取得進展，全自動澆鑄爐每生產週期（50小時）可生產200公斤以上的矽錠，晶粒的尺寸達到厘公尺級；
4]由於近十年單晶矽工藝的研究與發展很快，其中工藝也被應用於多晶矽電池的生產，例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極，採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微公尺，高度達到15微公尺以上，快速熱退火技術用於多晶矽的生產可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鐘之內完成，採用該工藝在100平方厘公尺的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14％。據報道，目前在50～60微公尺多晶矽襯底上製作的電池效率超過16％。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘公尺多晶上效率超過17％，無機械刻槽在同樣面積上效率達到16％，採用埋柵結構，機械刻槽在130平方厘公尺的多晶上電池效率達到單晶矽和多晶矽的區別是，當熔融的單質矽凝固時，矽原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶矽。
如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶矽。多晶矽與單晶矽的差異主要表現在物理性質方面。例如在力學性質、電學性質等方面，多晶矽均不如單晶矽。
多晶矽可作為拉製單晶矽的原料。單晶矽可算得上是世界上最純淨的物質了，一般的半導體器件要求矽的純度六個9以上。大規模積體電路的要求更高，矽的純度必須達到九個9。
目前，人們已經能製造出純度為十二個9的單晶矽。單晶矽是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。
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